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半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)工藝流程
發(fā)布時(shí)間： 2024-04-08 點(diǎn)擊次數(shù)： 3610次半導(dǎo)體芯片是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的核心組成部分，其生產(chǎn)工藝涉及多個(gè)環(huán)節(jié)，包括光刻、腐蝕、離子注入等。博泰小編帶大家了解半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的整個(gè)流程。
一、清洗
芯片在加工前需進(jìn)行清洗，清洗設(shè)備通常為柵氧化清洗機(jī)和氧化擴(kuò)散清洗機(jī)。
二、氧化
氧化過程就是把清洗干凈，通過離心甩干的硅片板送入高溫爐管內(nèi)進(jìn)行退火處理，爐管內(nèi)溫度800-1500℃。
三、淀積
淀積系統(tǒng)就是在硅片表面形成具有良好的臺(tái)階覆蓋能力、良好的接觸及均勻的高質(zhì)量金屬薄膜的設(shè)備系統(tǒng)。
四、光刻
在硅晶片涂上光致蝕劑，使得其遇紫外光就會(huì)溶解，在光刻機(jī)的曝光作用下，紫外光直射的部分被溶解，用溶劑將其沖走。
五、刻蝕
以化學(xué)蝕刻的方法或用干法氧化法，去除氨化硅和去掉經(jīng)上幾道工序加工后，在硅片表面因加工應(yīng)力而產(chǎn)生的一層損傷層的過程。
六、二次清洗
將加工完成的硅片需要再次經(jīng)過強(qiáng)酸堿清洗、甩干，去除硅片板上的光刻膠。
七、離子注入
將刻蝕后的芯片放入大束、中束流注入機(jī)將硼離子(B+3)透過Si02膜注入襯底，形成P型阱。去除氨化硅層，摻雜磷(P+5)離子，形成N型阱。
八、快速退火
從離子注入機(jī)中取出硅片放入快速退火爐中進(jìn)行退火處理，去除Si02層，與離子注入工藝根據(jù)需要反復(fù)循環(huán)進(jìn)行。
九、蒸鍍
薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不一樣，厚度通常小于1um，分真空蒸發(fā)法和濺鍍法。
十、檢測
檢測就是進(jìn)行全面的檢驗(yàn)以保證產(chǎn)品最終達(dá)到規(guī)定的尺寸、形狀、表面光潔度、平整度等技術(shù)指標(biāo)。
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